HTML datasheet archive (search documentation on electronic components) Search datasheet (1.687.043 components)
Search field

Datasheet: F0950A (OSRAM GmbH)

Infrared Emitting Diode Chip, 950 Nm, High Power

 

Download: PDF   ZIP
OSRAM GmbH
F 0950A
InGaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, High Power)
InGaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, High Power)
Vorläufige Daten / Preliminary Data
2002-02-21
1
Wesentliche Merkmale
· Typ. Gesamtleistung: 28 mW @ 100 mA im
TOPLED
®
Gehäuse
· Chipgröße 300 x 300
µ
m
2
· Wellenlänge der Strahlung 950 nm
· InGaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
· Gleichstrom- oder Impulsbetrieb möglich
· Hohe Zuverlässigkeit
· Hohe Impulsbelastbarkeit
· Sehr kurze Schaltzeiten
Anwendungen)
· Schnelle Datenübertragung mit
Übertragungsraten bis 100 Mbaud (IR Tastatur,
Joystick, Multimedia)
· Analoge und digitale Hi-Fi Audio- und
Videosignalübertragung
· Batteriebetriebene Geräte (geringe
Stromaufnahme)
· Anwendungen mit hohen Zrverlässigkeits-
ansprüchen bzw. erhöhten Anforderungen
· Alarm- und Sicherungssysteme
· IR-Freiraumübertragung
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
F 0950A
Q67220-C1262
Infrarot emittierender Hochleistungschip, Oberseite
Kathodenanschluß
Infrared emitting high power die, top side cathode
connection
Features
· Typ. total radiant power: 28 mW @ 100 mA in
TOPLED
®
package
· Chip size 300 x 300
µ
m
2
· Peak wavelength of 950 nm
· Very highly efficient InGaAs LED
· DC or pulsed operations are possible
· High reliability
· High pulse handling capability
· Very short switching times
Applications
· High data transmission rate up to 100 Mbaud
(IR keyboard, Hoystick, Multimedia)
· Analog and digital Hi-Fi audio and video signal
transmission
· Low power consumption (battery)
equipment
· Suitable for professional and high-reliability
applications
· Alarm and safety equipment
· IR free air transmission
2002-02-21
2
F 0950A
Elektrische Werte (gemessen auf TO18-Bodenplatte ohne Verguss,
T
A
= 25
°
C)
Electrical values (measured on TO18 header without resin,
T
A
= 25
°
C)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
1)
Value
1)
Einheit
Unit
min.
typ.
max.
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 10 mA
peak
950
nm
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max,
I
F
= 10 mA
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
55
nm
Sperrspannung
reverse voltage
I
R
= 10
µ
A
V
R
5
20
V
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90% auf
10%, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10% to 90% and from
90% to 10%,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
t
r
,
t
f
16
18
ns
Durchla
spannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
V
F
1.5
1.8
V
Gesamtstrahlfluß
4)
radiant power
4)
I
F
= 100mA, t
= 20 ms
e
11
14
mW
Temperaturkoeffizient
2)
von
Temperature coefficient
2)
of
I
F
= 100 mA;
TC
0.2
nm/K
Temperaturkoeffizient
2)
von V
F
Temperature coefficient
2)
of V
F
I
F
= 100 mA;
TC
V
-1.5
mV/K
F 0950A
2002-02-21
3
Mechanische Werte
Mechanical values
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
1)
Value
1)
Einheit
Unit
min.
typ.
max.
Chipkantenlänge (x-Richtung)
Length of chip edge (x-direction)
L
x
0.28
0.3
0.32
mm
Chipkantenlänge (y-Richtung)
Length of chip edge (y-direction)
L
y
0.28
0.3
0.32
mm
Durchmesser des Wafers
Diameter of the wafer
D
50.8
mm
Chiphöhe
Die height
H
185
µm
Bondpaddurchmesser
Diameter of bondpad
d
115
µm
Bezeichnung
Parameter
Wert
Value
Vorderseitenmetallisierung
Metallization frontside
Aluminium
Aluminum
Rückseitenmetallisierung
Metallization backside
Goldlegierung
Gold alloy
Trennverfahren
Dicing
Sägen
Sawing
Verbindung Chip - Träger
Die bonding
Kleben
Epoxy Bonding
2002-02-21
4
F 0950A
Grenzwerte
3)
(T
A
0= 25 °C)
Maximum Ratings
3)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Maximaler Betriebstemperaturbereich
Maximum operating temperature range
T
op
- 40...+100
°C
Maximaler Lagertemperaturbereich
Maximum storage temperatur range
T
stg
- 40...+100
°C
Maximaler Durchlaßstrom
Maximum forward current
I
F
100
mA
Maximaler Stoßstrom
maximum surge current
t
p
= 10 µs, D = 0.005
I
S
2
A
Maximale Sperrschichttemperatur
Maximum junction temperature
T
j
125
°C
F 0950A
2002-02-21
5
Relative Spectral Emission
2)
I
rel
= f
(
)
T
A
= 25 °C
Forward Current
2)
, I
F
= f (V
F
),
Single pulse, tp = 20
µ
s,
T
A
= 25 °C
Radiant Intensity
2)
T
A
= 25 °C
Single pulse, t
P
= 20
µ
s
Permissible Pulse Handling Capability
2)
I
F
= f (t
P
)
duty cycle D = parameter, T
A
= 25 °C
OHF00777
nm
800
erel
0
850
900
950 1000
1100
20
40
60
80
100
OHF00784
10
-3
V
mA
0
F
V
F
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
4.5
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
e
e
100 mA
=
f
(
I
F
)
e
e (100 mA)
mA
OHF00809
F
10
4
0
10
10
1
10
2
3
10
10
-3
10
-2
10
10
-1
0
10
2
OHF00040
10
-5
F
I
T
P
t
=
D
P
t
T
p
t
F
I
0.005
0.01
0.02
0.05
D
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
2
10
s
0.1
0.2
0.5
1
=
-1
10
5
1
10
10
0
5
A
© 2019 • ICSheet
Contact form
Main page