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Datasheet: F0460B (OSRAM GmbH)

High Brightness Led Chip, Blue, High Power

 

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OSRAM GmbH
F 0460B
InGaN High Brightness Lumineszenzdiode (460 nm, High Power)
InGaN High Brightness Light Emitting Diode (460 nm, High Power)
Vorläufige Daten / Preliminary Data
2002-02-21
1
Wesentliche Merkmale
· Typ. Gesamtleistung: 6 mW @ 20 mA (im 5mm
Radial Gehäuse)
· Optische Effizienz: 3 lm/W (5mm Gehäuse)
· Hohe Helligkeit durch spezielle OSRAM
ATON
®
-Technologie
· Leitfähiges Substrat
· Gute Stromverteilung durch SiC-Substrat
· Chipgröße 260 x 260
· Wellenlänge 460 nm (blau)
· Technologie: InGaN
· ESD-Klasse 2
Anwendungen
· Informationsanzeigen im Außenbereich
· Weiße LED
· optischer Indikator
· Hinterleuchtung (LCD, Schalter, Tasten,
Displays, Werbebeleuchtung,
Allgemeinbeleuchtung)
· Innenbeleuchtung im Automobilbereich
· Markierungsbeleuchtung
· Signal- und SymbolleuchtenScanner
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
F 0460B
on request
Blau (460 nm) emittierender InGaN Chip mit spezieller
OSRAM ATON
®
-Form zur effizienten Lichtauskopplung
Blue light (460 nm)emitting InGaN diode with special
OSRAM ATON
®
shape for enhanced light outcoupling
Features
· Typ. radiant power: 6 mW @ 20 mA (in 5mm
Radial package)
· Optical efficiency: 3 lm/W (5mm package)
· High Brightness due to special OSRAM
ATON
®
-technology
· Conductive substrate
· Good current spreading by SiC substrate
· Chipsize 260 x 260
· Wavelength 460 nm (blue)
· Technology: InGaN
· ESD class 2 rating
Applications
· Outdoor displays
· White LED
· Optical indicators
· backlighting (LCD, switches, keys, displays,
illuminated advertising, general lighting)
· Interior automotive lighting
· Marker lights
· Signal and symbol luminaire
· Scanner
2002-02-21
2
F 0460B
Elektrische Werte (gemessen 5 mm Radial Bauform,
T
A
= 25
°
C)
Electrical values (measured in 5 mm Radial package,
T
A
= 25
°
C)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
1)
Value
1)
Einheit
Unit
min.
typ.
max.
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 20 mA
peak
456
nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
I
F
= 20 mA
dom
456
461
466
nm
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
rel max,
Spectral bandwidth at 50% of
I
rel max
I
F
= 20 mA
30
nm
Sperrspannung
reverse voltage
I
R
= 10
µ
A
V
R
5
V
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei
I
F
= 20 mA,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10% to 90% and from
90% to 10%,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
t
r
,
t
f
30
ns
Durchlaßspannung,
I
F
= 20 mA,
Forward voltage,
I
F
= 20 mA
V
F
2.9
3.65
4.0
V
Gesamtstrahlungsfluß
4)
Radiant power
4)
I
F
= 20 mA
e
3.7
6.0
mW
Temperaturkoeffizient
2)
von
dom
Temperature coefficient
2)
of
dom
I
F
= 50 mA; -10°C < T < 100°C
TC
dom
0.04
nm/K
Temperaturkoeffizient
2)
von V
F
Temperature coefficient
2)
of V
F
IF = 50 mA; -10°C < T < 100°C
TC
V
-3.1
mV/K
F 0460B
2002-02-21
3
Mechanische Werte
Mechanical values
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
1)
Value
1)
Einheit
Unit
min.
typ.
max.
Chipkantenlänge (x-Richtung, Oberseite)
Length of chip edge (x-direction, top side)
L
x
0.235
0.26
0.285
mm
Chipkantenlänge (y-Richtung, Oberseite)
Length of chip edge (y-direction, top side)
L
y
0.235
0.26
0.285
mm
Durchmesser des Wafers
Diameter of the wafer
D
50.8
mm
Chiphöhe
Die height
H
225
250
275
µm
Bondpaddurchmesser
Diameter of bondpad
d
100
120
140
µm
Bezeichnung
Parameter
Wert
Value
Vorderseitenmetallisierung
Metallization frontside
Au
Rückseitenmetallisierung
Metallization backside
Au-partiell
Au-partial
Verbindung Chip - Träger
Die bonding
Kleben
Epoxy bonding
2002-02-21
4
F 0460B
Grenzwerte
3)
(T
A
= 25°C)
Maximum Ratings
3)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Maximale Betriebstemperatur
Maximum Operating temperature range
T
op
-55°C...+100°C
°C
Maximale Lagertemperatur
Maximum storage temperature range
T
stg
-55°C...+100°C
°C
Maximaler Durchlaßstrom
Maximum forward current
I
F
30
mA
Maximaler Pulsstrom, t
p
= 10 µs, D= 0.005
Maximum pulse current
I
P
100
mA
Maximale Sperrschichttemperatur
Maximum junction temperature
T
j
125
°C
Elektrostatische Durchbruchsspannung (HBM)
Electrostatic Discharge Threshold (HBM)
ESD
th
1000
V
F 0460B
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5
Maßzeichnung
Chip Outlines
Maße werden als typische
1)
Werte wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as typical
1)
values as
follows: mm (inch).
0.29
(
0
.
0
114
)
0.12
(
0.
00
4
7
)
n-contact
p-contact
0.
2
5
(
0.0
098
)
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