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Datasheet: F0235D (OSRAM GmbH)

Infrared Emitting Diode Chip, 950 NM

 

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OSRAM GmbH
F 0094U
F 0094V
GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, 300 µm Kantenlänge)
GaAs Infrared Light Emitting Diode (950 nm, 12 mil)
Vorläufige Daten / Preliminary data
2002-02-04
1
Wesentliche Merkmale
· Typ. Gesamtleistung: 15 mW @ 100 mA im
TOPLED
®
Gehäuse
· Chipgröße 300 x 300
µ
m
2
· GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
· Gute Linearität (
I
e
=
f
[
I
F
]) bei hohen Strömen
· Gleichstrom- oder Impulsbetrieb möglich
· Hohe Zuverlässigkeit
· Hohe Impulsbelastbarkeit
Anwendungen
· Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb, Lochstreifenleser
· Industrieelektronik
· ,,Messen/Steuern/Regeln"
· Automobiltechnik
· Sensorik
· Alarm- und Sicherungssysteme
· IR-Freiraumübertragung
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
F 0094U
on request
Infrarot emittierender Chip, Oberseite Anodenanschluß,
Oberfläche aufgerauht
Infrared emitting die, top side anode connection, surface
frosted
F 0094V
Q67220-C1268
Infrarot emittierender Chip, Oberseite Anodenanschluß
Infrared emitting die, top side anode connection
Features
· Typ. total radiant power: 15 mW @ 100 mA in
TOPLED
®
package
· Chip size 300 x 300
µ
m
2
· Very highly efficient GaAs LED
· Good linearity (
I
e
=
f
[
I
F
]) at high currents
· DC or pulsed operations are possible
· High reliability
· High pulse handling capability
Applications
· Miniature photointerrupters
· Industrial electronics
· Drive and control circuits
· Automotive technology
· Sensor technology
· Alarm and safety equipment
· IR free air transmission
2002-02-04
2
F 0094U, F 0094V
Elektrische Werte (gemessen auf TO18-Bodenplatte ohne Verguss,
T
A
= 25
°
C)
Electrical values (measured on TO18 header without resin,
T
A
= 25
°
C)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
1)
Value
1)
Einheit
Unit
min.
typ.
max.
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 10 mA
peak
950
nm
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max,
I
F
= 10 mA
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
55
nm
Sperrspannung
Reverse voltage
I
R
= 10
µ
A,
V
R
5
30
V
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90% auf
10%, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10% to 90% and from
90% to 10%,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
t
r
,
t
f
0.5/0.4
µ
s
Durchla
spannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µ
s
V
F
1.35
3.0
1.5
V
Gesamtstrahlungsflu
4)
Total radiant flux
4)
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
F 0094U
F 0094V
e
4.8
4.2
8
7
mW
mW
Temperaturkoeffizient
2)
von
Temperature coefficient
2)
of
I
F
= 100 mA;
TC
0.3
nm/K
Temperaturkoeffizient
2)
von V
F
Temperature coefficient
2)
of V
F
I
F
= 100 mA;
TC
V
-1.5
mV/K
F 0094U, F 0094V
2002-02-04
3
Mechanische Werte
Mechanical values
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
1)
Value
1)
Einheit
Unit
min.
typ.
max.
Chipkantenlänge (x-Richtung)
Length of chip edge (x-direction)
L
x
0.28
0.3
0.32
mm
Chipkantenlänge (y-Richtung)
Length of chip edge (y-direction)
L
y
0.28
0.3
0.32
mm
Durchmesser des Wafers
Diameter of the wafer
D
76.2
mm
Chiphöhe
Die height
H
170
185
200
µm
Bondpaddurchmesser
Diameter of bondpad
d
135
µm
Bezeichnung
Parameter
Wert
Value
Vorderseitenmetallisierung
Metallization frontside
Aluminium
Aluminum
Rückseitenmetallisierung
Metallization backside
Goldlegierung
Gold alloy
Trennverfahren
Dicing
Sägen
Sawing
Verbindung Chip - Träger
Die bonding
Kleben
Epoxy bonding
F 0094U, F 0094V
2002-02-04
4
Grenzwerte
3)
(T
A
= 25 °C)
Maximum Ratings
3)
(T
A
= 25°C)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Maximaler Betriebstemperaturbereich
Maximum operating temperature range
T
op
- 40...+100
°C
Maximaler Lagertemperaturbereich
Maximum storage temperatur range
T
stg
- 40...+100
°C
Maximaler Durchlaßstrom
Maximum forward current
I
F
100
mA
Maximaler Stoßstrom
maximum surge current
t
p
= 10 µs, D = 0.005
I
S
3
A
Maximale Sperrschichttemperatur
Maximum junction temperature
T
j
125
°C
F 0094U, F 0094V
2002-02-04
5
Relative Spectral Emission
2)
I
rel
=
f
(
),
T
A
= 25 °C
Forward Current
2)
,I
F
=
f
(
V
F
),
single pulse,
t
p
= 20
µ
s, T
A
= 25 °C
Radiant Intensity
2)
Single pulse,
t
p
= 20
µ
s, T
A
= 25 °C
Permissible Pulse Handling Capability
2)
I
F
= f (t
P
)
duty cycle D = parameter, T
A
= 25 °C
OHR01938
rel
0
880
920
960
1000
nm
1060
20
40
60
80
%
100
10
OHR01554
F
V
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
0
1
2
3
4
5
6
V
8
A
F
e
e
100 mA
=
f
(
I
F
)
OHR00864
F
-1
10
10
-2
-1
10
0
10
A
10
1
10
0
mA)
(100
e
e
10
1
OHR00865
-5
10
10
2
F
10
3
10
4
5
DC
0.2
0.5
0.1
0.005
0.01
0.02
0.05
T
F
T
D =
5
mA
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
s
D =
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