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Datasheet: D238S-1200 (Eupec GmbH)

 

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Eupec GmbH
Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 238 S 08...12
S
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
T
vj
= - 40°C...T
vj max
V
RRM
800
V
repetitive peak forward reverse voltage
1000
V
1200
V
Stoßspitzensperrspannung
T
vj
= + 25°C...T
vj max
V
RSM
900
V
non-repetitive peak reverse voltage
1100
V
1300
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
I
FRMSM
455
A
RMS forward current
Dauergrenzstrom
T
C
=
85°C
I
FAVM
238
A
mean forward current
T
C
=
73°C
290
A
Stoßstrom-Grenzwert
T
vj
= 25°C, tp = 10 ms
I
FSM
3800
A
surge foward current
T
vj
= T
vj max
, tp = 10 ms
3200
A
T
vj
= 25°C, tp = 1 ms
7800
A
T
vj
= T
vj max
, tp = 10 ms
6600
A
Grenzlastintegral
T
vj
= 25°C, tp = 10ms
I²t
72200
A²s
I²t-value
T
vj
= T
vj max
, tp = 10 ms
51200
A²s
T
vj
= 25°C, tp = 1ms
30420
A²s
T
vj
= T
vj max
, tp = 10 ms
21780
A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 900 A
v
F
max.
2,7
V
forward voltage
Schleusenspannung
V
(TO)
1,45
V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
T
vj
= T
vj max
r
T
1,1
m
forward slope resistance
Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung
IEC 747-2
V
FRM
typ.
3,9
V
1)
typical value of forward recovery voltage
T
vj
= T
vj max
di
F
/dt=50A/µs, v
R
=0V
Durchlaßverzögerungszeit
IEC 747-2, Methode / method II
t
fr
typ.
3,2
µs
1)
forward recovery time
T
vj
= T
vj max,
i
FM
=di
F
/dt*t
fr
di
F
/dt=50A/µs, v
R
=0V
Sperrstrom
T
vj
= 25°C, v
R
=V
RRM
i
R
max.
10
mA
reverse current
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
max.
50
mA
Rückstromspitze
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
I
RM
32
A
1)
peak reverse recovery current
i
FM
=290A,-di
F
/dt=50A/µs
v
R
<=100 V, v
RM
=200 V
Sperrverzögerungsladung
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
Q
r
22
µAs
1)
recovered charge
i
FM
=290 A,-di
F
/dt=50A/µs
v
R
<=100 V, v
RM
=200 V
Sperrverzögerungszeit
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
t
rr
1,15
µs
1)
reverse recovered time
i
FM
=290 A,-di
F
/dt=50A/µs
v
R
<=100 V, v
RM
=200 V
Sanftheit
T
vj
= T
vj max
SR
µs/A
2)
Softness
i
FM
= A,-di
F
/dt=500A/µs
v
R
<=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 238 S 08...12
S
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
R
thJC
thermal resitance, junction to case
beidseitig / two-sided,
=180°sin
max.
0,080
°C/W
beidseitig / two-sided, DC
max.
0,075
°C/W
Anode / anode,
=180°sin
max.
0,125
°C/W
Anode / anode, DC
max.
0,120
°C/W
Kathode / cathode,
=180°sin
max.
0,205
°C/W
Kathode / cathode, DC
max.
0,200
°C/W
Übergangs- Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
R
thCK
thermal resitance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
max
0,015
°C/W
einseitig / single-sided
max
0,030
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
T
vj max
125
°C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
T
c op
-40...+125
°C
operating temperature
Lagertemperatur
T
stg
-40...+150
°C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
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case, see appendix
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Si-Element mit Druckkontakt
21
mm
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
F
3,2...7,6
kN
clamping force
Gewicht
G
typ.
60
g
weight
Kriechstrecke
17
mm
creepage distance
Feuchteklasse
DIN 40040
C
humidity classification
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50
m/s²
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 238 S 08...12
S
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 238 S 08...12
S
Kühlung
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
cooling
Analytical ementes of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos.n
1
2
3
4
5
6
7
beidseitig
R
thn
[°C/W]
0,0003 0,00675 0,00585
0,0322
0,0299
two-sided
n
[s]
0,000067 0,00082 0,00905
0,0597
0,497
anodenseitig
R
thn
[°C/W]
0,00044 0,00806
0,0171
0,0295
0,0649
anode-sided
n
[s]
0,000082 0,00107
0,0261
0,121
3,56
kathodenseitig
R
thn
[°C/W]
0,0005
0,0088
0,0215
0,0312
0,138
cathode-sided
n
[s]
0,000086 0,00121
0,0345
0,223
3,513
n
max
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
=
R
thn
( 1 - EXP ( - t /
n
))
n=1
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 238 S 08...12
S
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic i
F
=f(v
F
)
T
vj
= T
vj max
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0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1.000
1.100
1.200
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
v
F
[V]
i
F
[A]
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