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Datasheet: D2201N (Eupec GmbH)

 

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Eupec GmbH
Technische Information / Technical Information
Umschwingdiode
Crow Bar Diode
D 2201N 45 T
BIP AC / 2002-09-11, Keller/Schneider
Release 3
Seite/page
1
Features:
· Umschwingdiode nur für Crow Bar
Anwendungen
· Specially designed only for Crow Bar
application
· Volle Sperrfähigkeit bei 140°C mit 50Hz
· Full blocking capability at 140°C with 50Hz
· Elektroaktive Passivierung durch a-C:H
· Electroactive passivation by a-C:H
Elektrische
Eigenschaften
/
Electrical
properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
T
vj
= -40°C ... T
vj max
V
RRM
4500 V
Stoßspitzensperrspannung
non-repetetive peak reverse voltage
T
vj
= +25°C ... T
vj max
V
RSM
4600 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
I
FRMSM
5200 A
Dauergrenzstrom
mean forward current
T
C
= 85°C, f = 50Hz
T
C
= 60°C, f = 50Hz
I
FAVM
2100
3300
A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
T
vj
= 25
°C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max,
t
p
= 10 ms
I
FSM
I
FSM
38
35
kA
kA
Grenzlastintegral
I
2
t-value
T
vj
= 25
°C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max,
t
p
= 10 ms
I
2
t
I
2
t
7,22 x10
6
6,125 x10
6
A
2
s
A
2
s

Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
forward voltage
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 2500A
v
F
max
1,2 V
Schleusenspannung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
0,688 V
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
0,205 m
Durchlaßrechenkennlinie
On-state characteristics for calculation
(
)
V
A B i
C
i
D i
F
F
F
F
= + +
+ +
ln
1
T
vj
= T
vj max

A
B
C
D
max.
0,69898
-1,5947E-05
-0,044108
0,017740
Sperrstrom
reverse current
T
vj
= T
vj max,
v
R
= V
RRM
i
R
100 mA
Technische Information / Technical Information
Umschwingdiode
Crow Bar Diode
D 2201N 45 T
BIP AC / 2002-09-11, Keller/Schneider
Release 3
Seite/page
2
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode /cathode, DC
R
thJC

max
max
max
0,01
0,0236
0,0173

°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single sided
R
thCK

max
max
0,003
0,006

°C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
T
vj max
140 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
-40...+140 °C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite
3
Si ­ Element mit Druckkontakt
Si ­ pellet with pressure contact
65DN45
Anpreßkraft
clampig force
F 27...45 kN
Gewicht
weight
G
typ
850 g
Kriechstrecke
creepage distance
30 mm
Luftstrecke
air distance
20 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
50 m/s
2




















Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
Technische Information / Technical Information
Umschwingdiode
Crow Bar Diode
D 2201N 45 T
BIP AC / 2002-09-11, Keller/Schneider
Release 3
Seite/page
3
Maßbild / Outline drawing



26
+-
0
.
5
100 max
62,8
C
A
2 center holes
3.5 ×1.8
Technische Information / Technical Information
Umschwingdiode
Crow Bar Diode
D 2201N 45 T
BIP AC / 2002-09-11, Keller/Schneider
Release 3
Seite/page
4
On-State Characteristics ( v
F
)
Upper limit of scatter range
T
vj
= 140
° C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
0
0,5
1
1,5
v
F
[V]
i
F
[A]
T
vj
= 160°C
typ.
T
vj
= 160°C
max.
Technische Information / Technical Information
Umschwingdiode
Crow Bar Diode
D 2201N 45 T
BIP AC / 2002-09-11, Keller/Schneider
Release 3
Seite/page
5
Transienter Wärmewiderstand
Transient thermal Impedance Z
(th) JC
= f (t)
Doppelseitige Kühlung / Two sided cooling
Beidseitig / both side
Kathodenseitig / cathode side
Anodenseitig / anode side
n
R
thn
[K/W]
n
[s]
R
thn
[K/W]
n
[s]
R
thn
[K/W]
n
[s]
1 0,00354 0,89646
0,01735
4,65326
0,01051 4,84218
2 0,00377 0,11809
-0,00024
0,74468
0,00039 0,25267
3 0,00156 0,02822
0,00426
0,11266
0,00462 0,08834
4 0,00093 0,00422
0,00130
0,02136
0,00116 0,00932
5 0,00025 0,00134
0,00093
0,00359
0,00063 0,00185
R
th
[K/W]
0,01 -
0,0236
-
0,0173 -
(
)
Z
R
e
thJC
thn
t
n
n
n
=
-
-
=
1
1
/
max
Z
th
= f (t)
0
0,005
0,01
0,015
0,02
0,025
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t / [sec.]
Z (th) JC / [K/W]
both side
cathode side
anode side
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