HTML datasheet archive (search documentation on electronic components) Search datasheet (1.687.043 components)
Search field

Datasheet: D2200N (Eupec GmbH)

 

Download: PDF   ZIP
Eupec GmbH
Leistungsgleichrichterdioden
Power Rectifier Diodes
D 2200 N
VWK July 1996
European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
ø3,5x3,5tief
max.12
ø50
ø3,5x3,5 deep
pump out pipe metallic
connected to the cathode
74
ø50
A
C
D 2200 N
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Höchstzulässige Werte
Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
t
vj
= -40°C... t
vj max
V
RRM
2000, 2200, 2400
V
2600, 2800
V
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage t
vj
= +25°C... t
vj max
V
RSM
= V
RRM
+ 100
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
I
FRMSM
4,9
kA
Dauergrenzstrom
mean forward current
t
c
= 100 °C
I
FAVM
2,2
kA
t
c
= 57 °C
3,12
kA
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
I
FSM
41 kA
1
)
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
35
kA
Grenzlastintegral
I
2
t-value
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
I
2
t
8405
kA
2
s
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
6125
kA
2
s
Charakteristische Werte
Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
t
vj
= t
vj max
, i
F
= 9,4 kA
V
T
max. 2,3
V
Schleusenspannung
threshold voltage
t
vj
= t
vj max
V
T(TO)
0,83
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
t
vj
= t
vj max
r
T
0,145
m
Sperrstrom
reverse current
t
vj
= t
vj max
, V
R
= V
RRM
i
R
max. 150
mA
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
Innerer Widerstand
thermal resistance, junction
beidseitig/two-sided,
=180° sin R
thJC
max. 0,0169 °C/W
to case
beidseitig/two sided, DC
max. 0,0160 °C/W
Anode/anode,
=180° sin
max. 0,0329 °C/W
Anode/anode, DC
max. 0,0320 °C/W
Kathode/cathode,
=180° sin
max. 0,0329 °C/W
Kathode/cathode, DC
max. 0,0320 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance,case to heatsink beidseitig /two-sided
R
thCK
max. 0,0025 °C/W
einseitig /single-sided
max. 0,0050 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
t
vj max
160
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
t
c op
-40...+160
°C
Lagertemperatur
storage temperature
t
stg
-40...+160
°C
Mechanische Eigenschaften
Mechanical properties
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
= 56 mm
Anpreßkraft
clamping force
Gehäuseform/case design T
F
24...60
kN
Gewicht
weight
G
typ. 600
g
Kriechstrecke
creepage distance
30
mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50
m/s
2
Maßbild
outline
Seite/page
1
) Gehäusegrenzstrom 32 kA (50 Hz Sinushalbwelle) / Current limit of case 32 kA (50 Hz sinusoidal half-wave)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
D2200N_4
0
D2200N_1
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
14
12
10
8
6
4
2
0
0,1
0,2
0,3
1a
2a
1b
1c
2b
2c
D2200N_6
10
0
0,1
0,2
0,3
D2200N_5
1a
1b
2a
1c
2b
2c
40
30
20
40
30
20
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0
[kA]
I
F(0V)M
I
F(0V)M
[kA]
(normiert)
i²dt
t [s]
v
F
[V]
t [s]
[kA]
i
F
I
F(0V)M
v
R
I
F(0V)M
v
R
t
[ms]
p
Bild / Fig. 2
Normiertes Grenzlastintegral / Normalized i²t
i²dt = f(t
p
)
t
vj
= 160 °C
t
vj
= 25 °C
Bild/Fig. 1
Grenzdurchlaßkennlinie
Limiting forward characteristic i
F
= f (v
F
)
Bild / Fig. 3
Grenzstrom / Maximum overload forward current I
F(0V)M
= f(t)
1 - I
FAV(vor)
= 0 A; t
vj
= t
C
= 25 °C
2 - I
FAV(vor)
= 2200 A; t
C
= 100 °C; t
vj
= 160 °C
a - v
R
50 V
b - v
R
= 0,5 V
RRM
c - v
R
= 0,8 V
RRM
Bild / Fig. 4
Grenzstrom / Maximum overload forward current I
F(0V)M
= f(t)
1 - I
FAV(vor)
= 0 A; t
vj
= t
C
= 25 °C
2 - I
FAV(vor)
= 2200 A; t
C
= 100 °C; t
vj
= 160 °C
a - v
R
50 V
b - v
R
= 0,5 V
RRM
c - v
R
= 0,8 V
RRM
D 2200 N
10
3
10
4
D2200N_7
1
10
100
0,1
5
4
3
2
2
9
8
7
6
1600
800
400
200
100
3200
0,002
0,006
0,004
0,04
0,03
0,02
0,01
0
D2200N_2
2; 3
1
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
[
µ
As]
Q
r
Z
(th)JC
[°C/W]
[°C/W]
thJC
R
-di
F
/dt [A/
µ
s]
t [s]
i
FM
[A]=
0
30
60
90
120
150
180
D2200N_3
T
T
[°el]
T
Bild / Fig. 5
Differenz zwischen den Wärmewiderständen
für Pulsstrom und DC
Difference between the values of thermal resistance for
pulse current and DC
Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
Bild / Fig. 6
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q
r
= f(-di
F
/dt)
t
vj =
t
vjmax
; v
R
0,5 V
RRM
; V
RM
= 0,8 V
RRM
Beschaltung / Snubber: C = 1,5 µF; R = 2,7
Parameter: Durchlaßstrom / Forward current i
FM
n
max
n=1
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Bild / Fig. 7
Transienter innerer Wärmewiderstand
Transient thermal impedance Z
thJC
= f(t), DC
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
Z
thJC
= R
thn
(1-EXP(-t/
n
))
D 2200 N
Kühlg.
Cooling
Pos.
n
R
thn
°C/W
n
[s]
R
thn
°C/W
n
[s]
R
thn
°C/W
n
[s]
1
2
3
1
2
3
4
5
6
7
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
0,000037
0,000204
0,000042
0,000193
0,000042
0,000193
0,000393
0,00118
0,000578
0,00166
0,000578
0,00166
0,00138
0,0103
0,00184
0,0161
0,00184
0,0161
0,00177
0,0542
0,00617
0,164
0,00617
0,164
0,00503
0,219
0,00487
2,46
0,00487
2,46
Analytische Funktion / Analytical function
0,00739
1,15
0,0185
6,11
0,0185
6,11
© 2017 • ICSheet
Contact form
Main page