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Datasheet: D211U (Eupec GmbH)

 

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Eupec GmbH
Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 211 U 10...14
U
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
T
vj
= - 25°C...T
vj max
V
RRM
1000
V
repetitive peak forward reverse voltage
1200
V
1400
V
Stoßspitzensperrspannung
T
vj
= + 25°C...T
vj max
V
RSM
1100
V
non-repetitive peak reverse voltage
1300
V
1500
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
I
FRMSM
400
A
RMS forward current
Dauergrenzstrom
T
C
=100°C
I
FAVM
150
A
T
C
=71°C
211
A
mean forward current
T
C
=48°C
255
A
Stoßstrom-Grenzwert
T
vj
= 25°C, tp = 10 ms
I
FSM
4700
A
surge foward current
T
vj
= T
vj max
, tp = 10 ms
3900
A
T
vj
= 25°C, tp = 1 ms
9910
A
T
vj
= T
vj max
, tp = 1 ms
8230
A
Grenzlastintegral
T
vj
= 25°C, tp = 10ms
I²t
110450
A²s
T
vj
= T
vj max
, tp = 10ms
76050
A²s
T
vj
= 25°C, tp = 1ms
49100
A²s
I²t-value
T
vj
= T
vj max
, tp = 1ms
33870
A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 800 A
v
F
max.
1,9
V
forward voltage
Schleusenspannung
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
1
V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
T
vj
= T
vj max
r
T
1
m
forward slope resistance
Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung
IEC 747-2
V
FRM
typ
3,9
V
1)
typical value of forward recovery voltage
T
vj
= T
vj max
di
F
/dt=50A/µs, v
R
=0V
Durchlaßverzögerungszeit
IEC 747-2, Methode / method II
t
fr
typ
4,1
µs
1)
forward recovery time
T
vj
= T
vj max,
i
FM
=1400A
di
F
/dt=50 A/µs, v
R
=0V
Sperrstrom
T
vj
= 25°C, v
R
=V
RRM
i
R
max.
10
mA
reverse current
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
max.
100
mA
Rückstromspitze
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
I
RM
75
A
1)
peak reverse recovery current
i
FM
=465A,-di
F
/dt=50A/µs
v
R
=100V, v
RM<
=200 V
Sperrverzögerungsladung
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
Q
r
210
µAs
1)
recovered charge
i
FM
=465 A,-di
F
/dt=50A/µs
v
R
=100V, v
RM<
=200 V
Sperrverzögerungszeit
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
t
rr
3,45
µs
1)
reverse recovered time
i
FM
=465A,-di
F
/dt=50A/µs
v
R
=100 V; v
RM<
=200V
Sanftheit
T
vj
= T
vj max
SR
µs/A
2)
Softness
i
FM
=A,-di
F
/dt=A/µs
v
R
<=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
SZ-M / 12.02.1987
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 211 U 10...14
U
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
R
thJC
thermal resitance, junction to case
=180°sin
max.
0,24
°C/W
DC
max. 0,245
°C/W
Übergangs- Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
R
thCK
thermal resitance, case to heatsink
max.
0,04
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
T
vj max
150
°C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
T
c op
-40...+150
°C
operating temperature
Lagertemperatur
T
stg
-40...+150
°C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
Seite 3
case, see appendix
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Durchmesser/diameter 21mm
Si-pellet with pressure contact
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
M
20
Nm
mounting torque
Gewicht
G
typ.
175
g
weight
Kriechstrecke
12
mm
creepage distance
Feuchteklasse
DIN 40040
C
humidity classification
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
5x9,81
m/s²
vibration resistance
Kühlkörper / heatsinks: KL 42 ; KL 91
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-M / 12.02.1987
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 211 U 10...14
U
SZ-M / 12.02.1987
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 211 U 10...14
U
Kühlung
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
cooling
Analytical ementes of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos.n
1
2
3
4
5
6
7
R
thn
[°C/W] 0,00036 0,00992
0,00962
0,151
0,0691
n
[s]
0,000089 0,00154
0,0335
0,422
3,274
R
thn
[°C/W]
n
[s]
R
thn
[°C/W]
n
[s]
n
max
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
=
R
thn
( 1 - EXP ( - t /
n
))
n=1
SZ-M / 12.02.1987
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 211 U 10...14
U
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic i
F
=f(v
F
)
T
vj
= T
vj max
SZ-M / 12.02.1987
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0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1.000
0,5
1
1,5
2
2,5
v
F
[V]
i
F
[A]
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