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Datasheet: D1951SH (Eupec GmbH)

 

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Eupec GmbH
Technische Information / Technical Information
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
D 1951 SH 65T
Zieldaten / Possible Data
BIP AC / 2001-11-21, Schneider / Keller
Release 4.1
Seite/page
SH
1
Features:
·
Speziell entwickelt für beschaltungslosen
Betrieb
·
Specially designed for snubberless operation
·
Niedrige Verluste, weiches Ausschalten
·
Low losses, soft recovery
·
Volle Sperrfähigkeit bei 140°C mit 50Hz
·
Full blocking capability at 140°C with 50Hz
·
Hohes di/dt und niedriger Wärmewiderstand
durch NTV-Verbindung zwischen Silizium und
Mo-Trägerscheibe
·
High di/dt and low thermal resistance by
using low temperature-connection NTV
between silicon wafer and molybdenum
·
Elektroaktive Passivierung durch a-C:H
·
Electroactive passivation by a-C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
T
vj
= 0°C ... T
vj max
f = 50Hz
V
RRM
6500 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
T
c
= 60°C. f = 50Hz
I
FRMSM
3800 A
Dauergrenzstrom
mean forward current
T
C
= 85°C, f = 50Hz
T
C
= 60°C, f = 50Hz
I
FAVM
1950
2400
A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
T
vj
= T
vj max
, T
p
= 10ms
I
FSM
44 kA
Grenzlastintegral
I
2
t-value
T
vj
= T
vj max
, T
p
= 10ms
I
2
t
9,68
10
6
A
2
s
Max. Ausschaltverluste
max. turn-off losses
I
FM
= 2500A, V
CL
= 2800V,
clamp circuit L
0,25 µH, R
CL
= 68
C
CL
= 3µF, D
CL
= 34DSH65
T
vj
= T
vj max
W
max
9 MW
Technische Information / Technical Information
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
D 1951 SH 65T
Zieldaten / Possible Data
BIP AC / 2001-11-21, Schneider / Keller
Release 4.1
Seite/page
SH
2
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung
continuous direct reverse voltage
failure rate
< 100
estimate value
V
R(D)
typ.
3200 V
Durchlaßspannung
forward voltage
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 2500A
V
F
max
4 V
Schleusenspannung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
1,78 V
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
0,89 m
Durchlaßrechenkennlinie 250
A
i
F
3200 A
On-state characteristics for calculation
(
)
V
A B i
C
i
D i
F
F
F
F
= + +
+ +
ln
1
T
vj
= T
vj max
A
B
C
D
max.
0,73603
9,78E-05
-0,038712
0,06652
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
T
vj
= T
vj max
, di
F
/dt = 500A/µs
V
FRM
typ. 50 V
Sperrstrom
reverse current
T
vj
= T
vj max,
v
R
= V
RRM
i
R
250 mA
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
RM
max
1500 A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Q
r
max
4300 µAs
Ausschaltverlust Energie
turn-off energy
I
FM
= 2500A, V
CL
= 2800V,
clamp circuit L
0,25 µH, R
CL
= 68
C
CL
= 3µF, D
CL
= 34DSH65
T
vj
= T
vj max
E
off
10,0 Ws
Abklingsanftheit
reverse recovery softness factor
max
0
)
/
(
)
/
(
dt
di
dt
di
F
rf
i
rr
RRS
=
=
I
FM
= 2500A, V
R
= 2800V
-di
rr
/dt
(i=0)
= 1000A/µs, dt
= 80ns
T
vj
= T
vj max
F
RRS
typ.
Technische Information / Technical Information
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
D 1951 SH 65T
Zieldaten / Possible Data
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Release 4.1
Seite/page
SH
3
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode /cathode, DC
R
thJC
max
max
max
0,0045
0,00855
0,0095
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single sided
R
thCK
max
max
0,0015
0,003
°C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
T
vj max
140 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
0...+140 °C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite 3
Si - Element mit Druckkontakt
Si - pellet with pressure contact
101DSH65
Anpreßkraft
clampig force
F
55...91 kN
Gewicht
weight
G
typ
2500 g
Kriechstrecke
creepage distance
33 mm
Luftstrecke
air distance
20 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
50 m/s
2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes
Technische Information / Technical Information
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
D 1951 SH 65T
Zieldaten / Possible Data
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SH
4
.
Outline Drawing
Technische Information / Technical Information
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
D 1951 SH 65T
Zieldaten / Possible Data
BIP AC / 2001-11-21, Schneider / Keller
Release 4.1
Seite/page
SH
5
On-State Characteristics ( V
F
)
upper limit of scatter range
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
0
1
2
3
4
5
6
V
F
[V]
typ.
T
vj
= 140°C
max.
T
vj
= 140°C
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