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Datasheet: D1709N (Eupec GmbH)

 

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Eupec GmbH
Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 1709 N 20...24
N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
T
vj
= - 40°C...T
vj max
V
RRM
2000
2200
V
repetitive peak forward reverse voltage
2400
V
V
Stoßspitzensperrspannung
T
vj
= + 25°C...T
vj max
V
RSM
2100
2300
V
non-repetitive peak reverse voltage
2500
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
I
FRMSM
2700
A
RMS forward current
Dauergrenzstrom
T
C
= 90 °C
I
FAVM
1700
A
mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
T
vj
= 25°C, tp = 10 ms
I
FSM
21.500
A
surge foward current
T
vj
= T
vj max
, tp = 10 ms
18.000
A
Grenzlastintegral
T
vj
= 25°C, tp = 10ms
I²t
2.311
A²s*10
3
I²t-value
T
vj
= T
vj max
, tp = 10ms
1.620
A²s*10
3
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
T
vj
= T
vj max
, i
F
=
4 kA
v
F
max.
1,8
V
forward voltage
T
vj
= T
vj max
, i
F
=
700 A
v
F
max.
0,98
V
Schleusenspannung
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
0,83
V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
T
vj
= T
vj max
r
T
0,20
m
forward slope resistance
T
vj
= T
vj max
T
vj
= 25 °C
Durchlaßkennlinie
A =
6,4014E-01
7,2964E-01
on-state voltage
B =
1,2359E-04
8,9772E-06
C =
-1,0606E-02
5,9894E-03
D =
1,2090E-02
8,4835E-03
Sperrstrom
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
i
R
max.
60
mA
reverse current
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
R
thJC
thermal resitance, junction to case
beidseitig / two-sided,
=180°sin
max.
0,0245
°C/W
beidseitig / two-sided, DC
max.
0,0223
°C/W
Anode / anode,
=180°sin
max.
0,0410
°C/W
Anode / anode, DC
max.
0,0388
°C/W
Kathode / cathode,
=180°sin
max.
0,0540
°C/W
Kathode / cathode, DC
max.
0,0514
°C/W
Übergangs- Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
R
thJK
thermal resitance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
max.
0,0035
°C/W
einseitig / single-sided
max.
0,0070
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
T
vj max
160
°C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
T
c op
-40...+150
°C
operating temperature
Lagertemperatur
T
stg
-40...+150
°C
storage temperature
prepared by: K.A.Rüther
data of publication:
BIP AM
approved by: J. Novotny
revision: 1
A20/00
Seite/page 1
T
T
T
T
i
D
i
Ln
C
i
B
A
v
+
+
+
+
=
)
1
(
Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 1709 N 20...24
N
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
Seite 3
case, see appendix
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
F
12...24
kN
clamping force
Gewicht
G
typ.
540
g
weight
Kriechstrecke
32
mm
creepage distance
Feuchteklasse
DIN 40040
C
humidity classification
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50
m/s²
vibration resistance
Kühlkörper/heatsinks : K0.05F 400 W
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
BIP AM / 00-09-05, K.-A. Rüther
A20/00
Seite/page 2
Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 1709 N 20...24
N
D 1709 N Type I
BIP AM / 00-09-05, K.-A. Rüther
A20/00
Z. Nr.: 1
Seite/page 3
Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier DiodeThyristor
D 1709 N 20...24
N
Kühlung
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
cooling
Analytical ementes of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos.n
1
2
3
4
5
6
7
beidseitig
R
thn
[°C/W]
0,00114
0,0025
0,0031
0,00761
0,00795
two-sided
n
[s]
0,00146
0,00563
0,0609
0,239
1,24
anodenseitig
R
thn
[°C/W]
0,00111
0,00251
0,00331
0,00892
0,023
anode-sided
n
[s]
0,00144
0,00547
0,0611
0,276
4,3
kathodenseitig
R
thn
[°C/W]
0,00118
0,00269
0,00883
0,00329
0,0358
cathode-sided
n
[s]
0,00147
0,00613
0,134
0,741
8,81
n
max
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
=
R
thn
( 1 - EXP ( - t /
n
))
n=1
BIP AM / 00-09-05, K.-A. Rüther
A20/00
Seite/page 4
Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 1709 N 20...24
N
Grenzdurchlaßkennlinien / Limiting on-state characteristics i
F
= f(v
T
)
SZ-M / 21.05.99, K.-A. Rüther
A20/00
Z.Nr.: 2
Seite/page 5
0
1000
2000
3000
4000
5000
0,5
1
1,5
2
2,5
V
F
[V]
i
F
[A]
T
vj
= T
vj max
T
vj
= 25 °C
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