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Datasheet: D138S-900 (Eupec GmbH)

 

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Eupec GmbH
Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 138 S 08...10
S
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
T
vj
= - 25°C...T
vj max
V
RRM
800
V
repetitive peak forward reverse voltage
900
V
1000
V
Stoßspitzensperrspannung
T
vj
= + 25°C...T
vj max
V
RSM
900
V
non-repetitive peak reverse voltage
1000
V
1100
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
I
FRMSM
230
A
RMS forward current
Dauergrenzstrom
T
C
=85°C
I
FAVM
138
A
mean forward current
T
C
=82°C
146
A
Stoßstrom-Grenzwert
T
vj
= 25°C, tp = 10 ms
I
FSM
1950
A
surge foward current
T
vj
= T
vj max
, tp = 10 ms
1600
A
Grenzlastintegral
T
vj
= 25°C, tp = 10ms
I²t
19000
A²s
I²t-value
T
vj
= T
vj max
, tp = 10ms
12800
A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 450 A
v
F
max.
2,4
V
forward voltage
Schleusenspannung
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
1,32
V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
T
vj
= T
vj max
r
T
2,2
m
forward slope resistance
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung
IEC 747-2
V
FRM
9,5
V
1)
peak value of forward recovery voltage
T
vj
= T
vj max
di
F
/dt=100A/µs, v
R
=0V
Durchlaßverzögerungszeit
IEC 747-2, Methode / method II
t
fr
max.
1,1
µs
1)
forward recovery time
T
vj
= T
vj max,
i
FM
=di
F
/dt*tfr
di
F
/dt=100A/µs, v
R
=0V
Sperrstrom
T
vj
= 25°C, v
R
=V
RRM
i
R
max.
5
mA
reverse current
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
max.
40
mA
Rückstromspitze
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
I
RM
47
A
1)
peak reverse recovery current
i
FM
=225A,-di
F
/dt=100A/µs
v
R
=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
Sperrverzögerungsladung
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
Q
r
32
µAs
1)
recovered charge
i
FM
=225 A,-di
F
/dt=100A/µs
v
R
=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
Sperrverzögerungszeit
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
t
rr
1,1
µs
1)
reverse recovered time
i
FM
=225A,-di
F
/dt=100A/µs
v
R
=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
Sanftheit
T
vj
= T
vj max
SR
0,003
µs/A
2)
Softness
i
FM
=225A,-di
F
/dt=100A/µs
v
R
=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
SZ-M / 30. April 1993 , R.Jöeke
A 13/ 93
Seite/page 1
Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 138 S 08...10
S
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
R
thJC
thermal resitance, junction to case
beidseitig / two-sided,
=180°sin
max.
0,141
°C/W
beidseitig / two-sided, DC
max.
0,133
°C/W
Anode / anode,
=180°sin
max.
0,224
°C/W
Anode / anode, DC
max.
0,216
°C/W
Kathode / cathode,
=180°sin
max.
0,344
°C/W
Kathode / cathode, DC
max.
0,336
°C/W
Übergangs- Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
R
thCK
thermal resitance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
max.
0,015
°C/W
einseitig / single-sided
max.
0,030
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
T
vj max
125
°C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
T
c op
-40...+125
°C
operating temperature
Lagertemperatur
T
stg
-40...+150
°C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
Seite 3
case, see appendix
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Durchmesser/diameter 15mm
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
F
1,7...3,4
kN
clamping force
Gewicht
G
typ.
65
g
weight
Kriechstrecke
17
mm
creepage distance
Feuchteklasse
DIN 40040
C
humidity classification
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50
m/s²
vibration resistance
Kühlkörper / heatsinks: K0,12F ; K0,17F ; K0,22F ; K0,36S ; K0,65S
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-M / 30. April 1993 , R. Jörke
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 138 S 08...10
S
SZ-M / 30. April 1993 , R. Jöeke
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 138 S 08...10
S
Kühlung
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
cooling
Analytical ementes of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos.n
1
2
3
4
5
6
7
beidseitig
R
thn
[°C/W]
0,00694
0,0131
0,023
0,0335
0,0552
two-sided
n
[s]
0,000727 0,00909
0,0281
0,134
0,529
anodenseitig
R
thn
[°C/W]
0,00755
0,0246
0,0215
0,0799
0,0683
anode-sided
n
[s]
0,000812
0,0132
0,064
0,412
1,88
kathodenseitig
R
thn
[°C/W]
0,00784
0,0277
0,022
0,0947
0,115
cathode-sided
n
[s]
0,000855
0,0143
0,123
0,473
2,17
n
max
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
=
R
thn
( 1 - EXP ( - t /
n
))
n=1
SZ-M / 30. April 1993, R.Jörke
Seite/page 4
0,0691
10
0,0011
2,27
0,0141
10,8
Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 138 S 08...10
S
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic i
F
=f(v
F
)
T
vj
= T
vj max
SZ-M / 30. April 1993 , R. Jörke
Seite/page 5
0
100
200
300
400
500
600
0,5
1
1,5
2
2,5
3
v
F
[V]
i
F
[
A]
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