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Datasheet: D1251S (Eupec GmbH)

 

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Eupec GmbH
European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
VWK January
Marketing Information
D 1251 S 45 T
14
+-0.5
75
77 max.
48
-0.1
2 center holes
3.5
×
1.8
C
A
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 1251 S 45 T
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
t
vj
= -40°C...140°C
V
RRM
4500 V
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
t
vj
= +25°C...140°C
V
RSM
4600 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current
I
FRMSM
2400 A
Dauergrenzstrom / mean forward current
t
C
= 85°C
I
FAVM
1310 A
t
C
= 70°C
1530 A
Stoßstrom-Grenzwert
1)
t
vj
= 25°C
I
FSM
surge forward current
1)
t
vj
= 140°C
18000 A
1)
Grenzlastintegral
t
vj
= 25°C
I²t
I²t-value
t
vj
= 140°C
1,62x10
6
A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung / contin. direct reverse voltage
t
C
= -40°C...+85°C
V
R(D)
typ. 2500 V
Durchlaßspannung / forward voltage
t
vj
= 140°C i
FM
= 2500 A
V
F
max. 2,5 V
Schleusenspannung / threshold voltage
t
vj
= 140°c
V
(TO)
1,25 V
Ersatzwiderstand / forward slope resistance
t
vj
= 140°C
r
T
0,45 m
Sperrstrom / reverse current
t
vj
= 140°C, v
R
= 0,67 V
RRM
i
R
t
vj
= 140°C, v
R
= V
RRM
80 mA
Rückstromspitze / peak reverse recovery current
i
FM
= 1000 A, -di
F
/dt = 250 A/µs
I
RM
800 A
t
vj
= 140 °C; v
R(Spr)
= 1000 V;
C = 3 µF; R = 4
Sperrverzögerungsladung
i
FM
= 1000 A, -di
F
/dt = 250 A/µs
Q
rr
3000 µAs
recovered charge
t
vj
= 140 °C; v
R(Spr)
= 1000 V;
C = 3 µF; R = 4
Period. Abklingsteilheit des Durchlaßstromes beim Ausschalten /
i
FM
= 2000 A, C
S
= 3 µF; R = 4
(-di/dt)
com
500 A/µs
repetitive decay rate of on-state current at turn-off
t
vj
= 140 °C; v
R
= 3000 V;
Snubberdiode D291S
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
R
thJC
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided
0,014 K/W
Anoden / anode
0,0245 K/W
Kathode / cathode
0,0325 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
R
thCK
thermal resistance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
0,005 K/W
einseitig / single-sided
0,01 K/W
Höchstzul. Sperrschichttemperatur/ max. junction temperat.
t
vj
max
140 °C
Betriebstemperatur / operating temperature
t
c
op
-40...+140 °C
Lagertemperatur / storage temperature
t
stg
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage / case, see appendix
Seite / page 1
Anpreßkraft /clamping force
F
15...36 kN
Gewicht / weight
G
ca. 350 g
Luftstrecke / air distance
ca. 10 mm
Kriechstrecke / creepage distance
16 mm
Feuchteklasse / humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit / vibration resistance
f = 50 Hz
50 m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the
belonging technical notes.
1) Gehäusegrenzstrom ca 15 kA, 50 Hz Sinus-Halbwelle / current liit of cas ca 15 kA, 50 Hz sine half wave
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